808nmマルチモード赤外線レーザーダイオード
製品名:808nm、TOパッケージ
レーザダイオード出力電力:200mW、300mW、500mW、1000MW、3000mW
アプリケーション:レーザーポインター、赤外レーザ光源装置は、高精度測定、レーザモジュール、半導体レーザ装置、医療機器、航空宇宙用途
波長:808±3nm
Regular Price
$448.98
Special Price
$419.98
Availability:
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SKU
808MM-LD-TO
デザインと200mWの-3000mW、全工業ための808nmマルチモードレーザダイオードプロジェクト最もパワフルで強烈な赤外レーザー光源の高出力電力範囲で製造。パッケージへの持つこの808nm赤外レーザダイオードは、CWダイオードレーザーすべての種類中で最も信頼性高い安定した性能を可能にします。
注目の特性:
高出力マルチモード808nmレーザダイオード:200mW-3000mW
高いビーム強度レーザ放射
唯一808±3nmスーパー細い線幅
低ビーム発散と小さいレーザ光出射開口
信頼性と安定した性能
808nmマルチモード赤外線レーザダイオード標準的な技術パラメータ:
アイテム |
シンボル | MM LD-808-200 | MM LD-808-300 | MM LD-808-500 | MM LD-808-1000 | MM LD-808-3000 | MM LD-808-5000 |
CW出力電力 | P | 200mW | 300mW | 500mW | 1000mW | 3000mW | 5000mW |
ピーク波長 | λp | 808±3nm | 808±3nm | 808±3nm | 808±3nm | 808±3nm | 808±3nm |
閾値電流 | Ith | ≤0.06A | ≤0.08A | ≤0.15A | ≤0.26A | ≤1.0A | ≤1.1A |
操作電流 | Iop | ≤0.28A | ≤0.38A | ≤0.65A | ≤1.3A | ≤3.5A | ≤5.2A |
スロープ効率 | η | ≥0.95W/A | ≥0.95W/A | ≥0.9W/A | ≥1.0W/A | ≥1.0W/A | ≥1.0W/A |
操作電圧 | Vop | ≤2.2V | ≤2.2V | ≤1.9V | ≤1.9V | ≤2.2V | ≤2.2V |
水平ビーム発散 | θ∥ | ≤8 deg |
≤8 deg |
≤12 deg | ≤12 deg | ≤12 deg | ≤12 deg |
垂直ビーム発散 | θ⊥ | ≤38 deg | ≤38 deg |
≤40 deg | ≤40 deg | ≤40 deg | ≤40 deg |
波長温度係数 | 0.2nm/℃ | 0.2nm/℃ | 0.3nm/℃ | 0.3nm/℃ | 0.3nm/℃ | 0.3nm/℃ | |
偏光 | TE | TE | TE | TE | TE | TE | |
保存温度 | Tstg | -40~80℃ | -40~80℃ | -40~80℃ | -40~80℃ | -40~80℃ | -40~80℃ |
動作温度 | Tc | 10~40℃ | 10~40℃ | -20~30℃ | -10~50℃ | -10~50℃ | -10~50℃ |
パッケージ | TO18 | TO18 | TO3 /TO5 | TO3 /TO5 | TO3 | TO3 |
TO18、TO3、TO5パッケージ808nmMM(マルチモード)レーザダイオードドロー:
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