808nm Diodo Láser Infrarrojo Multimodo
Nombre del producto: 808nm, TO paquete
Potencia de salida del diodo láser: 200mW, 300mW, 500mW, 1000mW, 3000mW
Aplicación: punteros láser, infrarrojos láser fuente, medición de alta precisión, módulo láser, equipos diodo láser, instrumentos médicos, aplicaciones aeroespaciales
Longitud de onda: 808±3nm
Diseñado y fabricado con rango de alta potencia de salida de 200mW-3000mW, proyectos de 808nm diodos láser infrarrojo multimodo la fuente de luz láser infrarroja más potente e intenso para todas las industrias. Este 808nm diodo láser infrarrojo con al paquete permite el funcionamiento más fiable y estable en todos los tipos de diodo láser CW.
Características destacadas:
Alto rendimiento potencia del 808nm diodo láser multimodo: 200mW-3000mW
Radiación láser de intensidad de luz de carretera
Ancho de la línea Súper estrecho de sólo 808±3nm
Divergencia del haz de baja y salida de luz láser que emite pequeños
Rendimiento fiable y estable
Parámetros técnicos estándar de 808nm diodo láser infrarrojo multimodo:
| Artículo | Símbolo | MM LD-808-200 | MM LD-808-300 | MM LD-808-500 | MM LD-808-1000 | MM LD-808-3000 | MM LD-808-5000 |
| CW Potencia de salida | P | 200mW | 300mW | 500mW | 1000mW | 3000mW | 5000mW |
| Longitud de onda de pico | λp | 808±3nm | 808±3nm | 808±3nm | 808±3nm | 808±3nm | 808±3nm |
| Umbral actual | Ith | ≤0.06A | ≤0.08A | ≤0.15A | ≤0.26A | ≤1.0A | ≤1.1A |
| Corriente de funcionamiento | Iop | ≤0.28A | ≤0.38A | ≤0.65A | ≤1.3A | ≤3.5A | ≤5.2A |
| Slope Eficiencia | η | ≥0.95W/A | ≥0.95W/A | ≥0.9W/A | ≥1.0W/A | ≥1.0W/A | ≥1.0W/A |
| Voltaje operativo | Vop | ≤2.2V | ≤2.2V | ≤1.9V | ≤1.9V | ≤2.2V | ≤2.2V |
| Horizontal Divergencia del haz | θ∥ | ≤8 deg |
≤8 deg |
≤12 deg | ≤12 deg | ≤12 deg | ≤12 deg |
| Vertical Divergencia del rayo | θ⊥ | ≤38 deg | ≤38 deg |
≤40 deg | ≤40 deg | ≤40 deg | ≤40 deg |
| Longitud de onda Coeficiente de temperatura | 0.2nm/℃ | 0.2nm/℃ | 0.3nm/℃ | 0.3nm/℃ | 0.3nm/℃ | 0.3nm/℃ | |
| Polarización | TE | TE | TE | TE | TE | TE | |
| Temperatura de almacenamiento | Tstg | -40~80℃ | -40~80℃ | -40~80℃ | -40~80℃ | -40~80℃ | -40~80℃ |
| Temperatura de funcionamiento | Tc | 10~40℃ | 10~40℃ | -20~30℃ | -10~50℃ | -10~50℃ | -10~50℃ |
| Paquete | TO18 | TO18 | TO3 /TO5 | TO3 /TO5 | TO3 | TO3 |
TO 18, TO 3, To 5 paquete de 808nm diodo láser MM (multimodo) sorteo:
